PN结的哪端电势高,为什么第一张图P区电势高于N区Vbi,而第二张N高于P区Vbi,

PN结的哪端电势高,为什么第一张图P区电势高于N区Vbi,而第二张N高于P区Vbi, PN结的哪端电势高,为什么第一张图P区电势高于N区Vbi,而第二张N高于P区Vbi, PN结电势差如何形成的在PN结中,N区的电势比P区高,请问N区的里面每一点的电势相等吗? PN结电势差疑问在半导体体中,PN结中的N区的电势比P区高,请问N区中每一点电势都相等吗? 我想知道为什么pn结的内建电场无法直接测量pn结的内建电场无法直接测量,这是肯定的,除了两端接触处形成肖特基势垒外,还有一个原因我不知道怎么表述.从pn结的电势来看,既然n区的电势比p 模电二极管PN结问题PN结掺杂程度越高,其耗尽层越窄,为什么? 关于PN结的问题关于PN结势垒的问题~对比PN结能带图和电势分布图~问题是这样的：按能带图来看~P区应该比N区势垒要高~所以p区相对n区能带会向上弯曲~但是内建电场由n指向p是不是说明n区势 电势能和电势在下面的这个图中,怎样判断哪点的电势高?为什么?哪点的电势能低?为什么?哪点的动能大?为什么?场强方向向哪?咋判断? 关于PN结形成,当自动扩散形成后,P区的空穴 进入N 区 和N 区的电结 合 ,之后为什么带正电 为什么:正电荷在电势高的地方电势能大,负电荷在电势低的地方电势能小? 为什么掺杂浓度越高,PN结越窄?P,N都是高掺杂的情况下,为什么PN结却越窄了 关于pn结为什么在PN结加上正向电压,PN结会变薄.上网找了很久都还是不明白.好像是与电力场有关系的,不过之间的不是中性的PN结吗?这有与电力场有什么关系?还有为什么P半导体不能与N半导体 为什么对于正电荷,电势越高的电势能越大,而对于负电荷电势越高电势能越小? 为什么a点的电势比比b点高?不是说电路中电流向地低电势处流? 为什么a点的电势比比b点高?不是说电路中电流向地低电势处流? 半导体的PN结中为什么P区的是负离子,N区的是正离子? 为什么半导体中PN结的P区是负离子,N区的是正离子? 电子向电势高的方向移动,为什么它的电势能降低