为什么掺杂浓度越高,PN结越窄?P,N都是高掺杂的情况下,为什么PN结却越窄了

来源：学生作业帮助网编辑：六六作业网时间：2025/02/02 19:19:38

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为什么掺杂浓度越高,PN结越窄?
P,N都是高掺杂的情况下,为什么PN结却越窄了

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简单的说：掺杂浓度过高,杂质原子过于靠近,从而相互结合,这就减少了参与到PN结形成的杂质原子数量,从而造成PN结变窄.
以下信息供参考理解用：
晶体是由许多原子在靠近时,通过电子轨道相互重叠并“成键”后组成.
此时,原子中的“电子状态”将由“能级状态”转变为“能带状态”——即能级展宽为能带.
类似地,当掺杂浓度很高、以致相邻“杂质原子”的电子轨道发生交叠时,杂质能级即展宽为杂质能带.
电子在杂质能带中同样具有一定的导电性；不过因为杂质原子轨道的交叠不会很大,则杂质能带的宽度较小,从而导电作用不大 (一般只是在低温下有贡献).
当半导体的掺杂浓度很高时,大量的杂质中心的电势将使得导带和价带出现能带尾；如果掺杂浓度高到使能带尾与杂质能带相连时,就将造成半导体能隙变窄.
微观粒子系统处于各稳定的能量状态时所具有的能量值.
原子在形成分子时,原子轨道构成具有分立能级的分子轨道.由原子轨道所构成的分子轨道的数量非常之大,以至于可以将所形成的分子轨道的能级看成是准连续的,即形成了能带.

为什么掺杂浓度越高,PN结越窄?P,N都是高掺杂的情况下,为什么PN结却越窄了模电二极管PN结问题PN结掺杂程度越高,其耗尽层越窄,为什么? 关于半导体掺杂.q(ND + p - NA - n) = 0怎么看出电中性的?ND 磷的浓度 NA硼的浓度 P空穴 N 电子还有为什么会有pn = ni2? 为什么PN节掺杂浓度越大热平衡载流子浓度就越小? PN结的掺杂浓度是什么? 为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低? 关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什么呢?既然掺杂浓度越大, PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄不同掺杂浓度的PN结的电位差是否相同模电书中说在掺杂浓度不对称的PN结中耗尽区在重掺杂一边延伸较小而在轻掺杂一边延伸较大这是为什么啊自学模电不易为什么nmos器件,poly掺杂掺n+和p+阈值电压相差一个禁带宽度? PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄请给出详细的,概念比较清楚的答案 PN结的哪端电势高,为什么第一张图P区电势高于N区Vbi,而第二张N高于P区Vbi, PN结的哪端电势高,为什么第一张图P区电势高于N区Vbi,而第二张N高于P区Vbi, PN节二极管由于半导体掺杂 P型半导体是空穴多于电子 N型半导体是电子多于空穴这样P和N组合就有了一个PN节当电子和空穴复合就形成了内电厂（PN节）.当加上外电场时P区接+N区—时（电子 PN结的扩散电流,N区向P区电子浓度的原因朝一个方向流,为什么反方向是扩散电流的方向?原因? PN结光生载流子的扩散,为什么不是从高浓度到低浓度? PN结电势差疑问在半导体体中,PN结中的N区的电势比P区高,请问N区中每一点电势都相等吗?