为什么硅元素的电离能突增出现在第五电离能,而不是第三电离能?按核外电子排布式来看,从3p上的两个电子失去后,再从3s上失电子时不是会出现突增么?这个时候3s是满的啊?

来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/11/25 01:16:53
为什么硅元素的电离能突增出现在第五电离能,而不是第三电离能?按核外电子排布式来看,从3p上的两个电子失去后,再从3s上失电子时不是会出现突增么?这个时候3s是满的啊?为什么硅元素的电离能突增出现在第五

为什么硅元素的电离能突增出现在第五电离能,而不是第三电离能?按核外电子排布式来看,从3p上的两个电子失去后,再从3s上失电子时不是会出现突增么?这个时候3s是满的啊?
为什么硅元素的电离能突增出现在第五电离能,而不是第三电离能?按核外电子排布式来看,从3p上的两个电子失去后,再从3s上失电子时不是会出现突增么?这个时候3s是满的啊?

为什么硅元素的电离能突增出现在第五电离能,而不是第三电离能?按核外电子排布式来看,从3p上的两个电子失去后,再从3s上失电子时不是会出现突增么?这个时候3s是满的啊?
3s和3p能量相差不大.而和2s/2p能量相差很大.
一般电离能突变都发生在不同层的电子之间(不过3d和4s相差不大)

3s上失去一个电子,变成1个电子,是半饱和状态,所以是可以的。

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3s上失去一个电子,变成1个电子,是半饱和状态,所以是可以的。

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