晶体管有几种状态 有人说3种 有人说4种 有谁能对3种和4种的说法详细说明如果说 耗尽区 是第四个状态 应该如何解释 耗尽区
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/12/21 12:27:35
晶体管有几种状态有人说3种有人说4种有谁能对3种和4种的说法详细说明如果说耗尽区是第四个状态应该如何解释耗尽区晶体管有几种状态有人说3种有人说4种有谁能对3种和4种的说法详细说明如果说耗尽区是第四个状
晶体管有几种状态 有人说3种 有人说4种 有谁能对3种和4种的说法详细说明如果说 耗尽区 是第四个状态 应该如何解释 耗尽区
晶体管有几种状态 有人说3种 有人说4种 有谁能对3种和4种的说法详细说明
如果说 耗尽区 是第四个状态 应该如何解释 耗尽区
晶体管有几种状态 有人说3种 有人说4种 有谁能对3种和4种的说法详细说明如果说 耗尽区 是第四个状态 应该如何解释 耗尽区
晶体管有截止、导通和饱和三种状态.
在晶体管不具备工作条件时,它处截止状态,内阻很大,各极电流几乎为0.
当晶体管的发射结加下合适的正向偏置电压、集电结加上反向偏置电压时,晶体管导通,其内阻变小,各电极均有工作电流产生（IE=IB+IC）.适当增大其发射结的正向偏置电压、使基极电流IB增大时,集电极电流IC和发射极电流IE也会随之增大.
当晶体管发射结的正向偏置电压增大至一定值（硅管等于或略高于0.7V,锗管等于或略高于0.3V0时,晶体管将从导通放大状态进入饱和状态,此时集电极电流IC将处于较大的恒定状态,且已不受基极电流IB控制.晶体管的导通内阻很小（相当于开关被接通）,集电极与发射极之间的电压低于发射结电压,集电结也由反偏状态变为正偏状态.