为什么在半导体材料中电子与空穴移动速度不同
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/12/18 22:19:09
为什么在半导体材料中电子与空穴移动速度不同为什么在半导体材料中电子与空穴移动速度不同为什么在半导体材料中电子与空穴移动速度不同由爱因斯坦方程D/u=KT/qD载流子(电子或空穴)扩散系数,u载流子迁移
为什么在半导体材料中电子与空穴移动速度不同
为什么在半导体材料中电子与空穴移动速度不同
为什么在半导体材料中电子与空穴移动速度不同
由爱因斯坦方程 D/u = KT/q
D 载流子(电子或空穴)扩散系数,u 载流子迁移率 KT/q除T温度外其他为常数.
由于扩散系数的不同,就是说在相同温度下电子与空穴的迁移率不同.其速度为迁移率和电势能的乘积,所以速度不同.
PS 至于扩散系数,是由平均自由城和平均自由时间等搞出~空穴的D一般比电子的D小~~
为什么在半导体材料中电子与空穴移动速度不同
为什么三极管PN结中的电场能阻止电子与空穴的移动?为什么三极管PN结中的电场能阻止两边的电子与空穴的移动?
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在pn结中 电子和空穴为什么有扩散运动?扩散运动的原因是什么?
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PN结中P型区,只是少了空穴而已.怎么会有负离子存在呢P型区中刚开始是空穴多,但是空穴只是电子的移动形成的,当空穴与N型区中的电子复合后,N型区少了电子,自然会有带正电的离子存在,而P
为什么称空穴是载流子?在空穴导电时,电子运动吗?
空穴为什么会移动自由电子可以移动 空穴在共价键上 共价键在两个原子核之间 原子核是不会动的 空穴为什么还可以自由扩散
三极管扩散到基极的电子怎么不直接从基极流出NPN三极管,书上说发射区的电子越过发射结到达基区,在扩散的过程中有部分电子与基区中的空穴复合而消失,由于基区很薄且空穴的浓度很低,所
在光电二极管中,为什么PN结受光照时就会在结区产生电子空穴对,是不是光电效应
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当PN结外加正向电压时,由于空穴或电子中和了不能移动的杂质正负离子,使空间电荷区变窄由于空穴或电子中和了不能移动的杂质正负离子,使空间电荷区变窄,那么在杂质半导体中,空穴或自由
二极管两端的电子和空穴为什么不均匀的扩散而在中间形成电场?我知道杂质原子不能动,两端电子空穴相互抵消,中间的地方也应该被中和不应该有电场啊!
电子浓度和空穴浓度的乘积是一个常数,与掺杂浓度无关?掺杂浓度不就决定了一部分电子的浓度,和空穴浓度?为什么无关
当霍尔效应发生在金属导体中时,是由电子的移动决定电势吗?那被剥除了电子的正离子不移动吗?还是有空穴这个例子是高中教材选修3-1上的书后例子,但是如果换成金属导体,正离子会不会移