英语翻译SIC材料是继SI、GaAs之后的第三代半导体材料.它一种宽带隙半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度高、电子迁移率高、热导率高、介电常数小、抗辐射能力强

来源：学生作业帮助网编辑：六六作业网时间：2024/12/23 16:28:24

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SIC材料是继SI、GaAs之后的第三代半导体材料.它一种宽带隙半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度高、电子迁移率高、热导率高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性好等优良的物理化学物质,以及与硅集成电路工艺兼容等特点,成为制造高温、高频、大功率、抗辐射、不挥发存储器件及光电集成器件的优选材料.
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SIC material following the SI,GaAs semiconductor material after the third generation.It is a wide bandgap semiconductor material with a large band gap,high breakdown voltage,high electron saturation drift velocity,high electron mobility,high thermal conductivity,dielectric constant is small,strong resistance to radiation,chemical stability,etc.excellent physical and chemical substances,and is compatible with silicon integrated circuit technology,etc.,into manufacturing high-temperature,high frequency,high power,radiation,non-volatile memory devices and optoelectronic integrated devices preferred material.

英语翻译SIC材料是继SI、GaAs之后的第三代半导体材料.它一种宽带隙半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度高、电子迁移率高、热导率高、介电常数小、抗辐射能力强 “神州七号”太阳能光电池使用的材料是 A SiO2 B SiC C Si D SiCl4 si c sic熔点 Si怎么变成SiC alcl3,sic,na,si,sio2,哪个是属于原子晶体请论述Si、GaAs、SiC这三种半导体材料的差异性以及这三种半导体材料的掺杂原理,并讨论它们在微电子器件领域应用的具体范围.大概可以从哪些角度去分析？载流子寿命？费米能级？带宽？庄子,是继---------之后----------家的代表人物? Si,Ge,GaAs,哪个用于光电器件,说明详细理由为什么半径Si>SiC>SiO2>C?我知道Si>C,但是其他两个是化合物,怎么比较? 刚那个方程式里SiC的Si是几价?我要鉴别哪个是氧化剂 SiC 的Si和C各几价?. 溶点；c大于sic大于si为什么? 问金刚石、sic,si的熔点高低邓小平称郭沫若继鲁迅之后邓小平称郭沫若是继鲁迅之后“ ”应该填什么 1mol sic中si c个数si-c键孟子是继孔子之后的儒家大师,被称为什么? 孟子是继孔子之后的第几位儒家大师? 孟子是继孔子之后又一位什么大师?