谁能告诉现代内存条上文字标识的含义?
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/09/04 18:10:10
谁能告诉现代内存条上文字标识的含义?
谁能告诉现代内存条上文字标识的含义?
谁能告诉现代内存条上文字标识的含义?
Samsung内存
具体含义解释:
例:SAMSUNGK4H280838B-TCB0
主要含义:
第1位——芯片功能K,代表是内存芯片.
第2位——芯片类型4,代表DRAM.
第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM.
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号.64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量.
第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据.
第11位——连线“-”.
第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为7ns;7B为7.5ns(CL=3);7C为7.5ns(CL=2);80为8ns;10为10ns(66MHz).
知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量.例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装.颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存 条的容量是128Mbits(兆数位)×16片/8bits=256MB(兆字节).
注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8.关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC 内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码.通过校验码,可以检测出内存数 据中的两位错误,纠正一位错误.所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘.在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存.
Hynix(Hyundai)现代
·“8”是内存条芯片结构,代表改内存由8颗芯片构成.(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)
·“2”指内存的bank(储蓄位).(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)
·“2”代表接口类型为SSTL_2.(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)
·“B”是内核代号为第3代.(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)
·能源消耗,空白代表普通;L代表低功耗型,该内存条的能源消耗代码为空,因此为普通型.
·封装类型用“T”表示,即TSOP封装.(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA)
·封装堆栈,空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC),上述内存为空白,代表是普通封装堆栈.
·封装原料,空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素.该内存为普通封装材料.
·“D43”表示内存的速度为DDR400.(D43=DDR400,3-3-3;D4=DDR400,3-4-4;J=DDR333;M=DDR333,2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)
·工作温度,一般被省略.I=工业常温(-40~85度);E=扩展温度(-25~85度)
现代内存的含义:
HY5DV641622AT-36
HYXXXXXXXXXXXXXXXX
123456789101112
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDRSDRAM);
3、处理工艺及工作电压:(空白=5V;V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4、芯片容量密度和刷新速率:16=16Mbits、4KRef;64:64M 4K刷新;64=64Mbits、8KRef;65=64Mbits、4KRef;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;128= 128Mbits、8KRef;129=128Mbits、4KRef;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;256=256Mbits、16KRef;257=256Mbits、8KRef ;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新
5、代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系
7、I/O界面:1:SSTL_3、 2:SSTL_2
8、芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新
9、代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式:JC=400milSOJ,TC=400milTSOP-Ⅱ,TD=13mmTSOP-Ⅱ,TG=16mmTSOP-Ⅱ
11、工作速度:55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A
现代的mBGA封装的颗粒
Infineon(英飞凌)
Infineon 是德国西门子的一个分公司,目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量:容量为128Mbits的颗粒和容量为 256Mbits的颗粒.编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度.Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成.所以其内存 颗粒型号比较少,辨别也是最容易的.
HYB39S128400即128MB/4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度.其它也是如此,如: HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即 256MB/8bits.
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率.
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz;
-8——表示该内存的工作频率是100MHz.
例如:
1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产.其容量计算为:128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆字节).
1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产.其容量计算为:128Mbits(兆数位)×8片/8=128MB(兆字节).
KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax 内存都是采用TinyBGA封装(Tinyballgridarray).并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全 是该厂自己生产.Kingmax内存颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits.在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来.
容量备注:
KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间×4位数据宽度;
KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间×8位数据宽度;
KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间×4位数据宽度;
KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间×8位数据宽度;
KSV864T4XXX——128Mbits,8M地址空间×16位数据宽度.
Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率:
-7A——PC133/CL=2;
-7——PC133/CL=3;
-8A——PC100/CL=2;
-8——PC100/CL=3.
例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造,其容量计算为:64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节).
Micron(美光)
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则.
含义:
MT——Micron的厂商名称.
48——内存的类型.48代表SDRAM;46代表DDR.
LC——供电电压.LC代表3V;C代表5V;V代表2.5V.
16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是:16M(地址)×8位数据宽度.
A2——内存内核版本号.
TG——封装方式,TG即TSOP封装.
-75——内存工作速率,-75即133MHz;-65即150MHz.
实例:一条MicronDDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造.该内存支持ECC功能.所以每个Bank是奇数片内存颗粒.
其容量计算为:容量32M×4bit×16片/8=256MB(兆字节).
Winbond(华邦)
含义说明:
WXXXXXXXX
12345
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型:98为SDRAM,94为DDRRAM
3、代表颗粒的版本号:常见的版本号为B和H;
4、代表封装,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装
5、工作频率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;Y:6.7ns、150MHz;6:6ns、166MHz;5:5ns、200MHZ
Mosel(台湾茂矽)
台 湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商,对大陆供货不多,因此我们熟悉度不够.这颗粒编号为V54C365164VDT45,从编号的6、7为65表示 单颗粒为64/8=8MB,从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit,从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns
NANYA(南亚)、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商,也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司,它在全球排名第五位.这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K,其中第 4位字母“S”表示是SDRAM显存,6、7位8M表示单颗粒容量8M,8、9位16表示单颗粒位宽16bit,-7K表示速度为7ns.
AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD
M.tec(勤茂)、TwinMOS(勤茂)
V-DATA(香港威刚)、A-DATA(台湾威刚)、VT
内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327,是6纳秒的颗粒,单面8片颗粒共256M容量,0327代表它的生产日期为2003年第27周
A-DATA
这是A-DATA的DDR500