LED外延片生长需要用到哪些设备和原料、工艺流程是什么?目前我了解到的是MOCVD、尾气处理器、MO源,请补充
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/11/23 17:18:48
LED外延片生长需要用到哪些设备和原料、工艺流程是什么?目前我了解到的是MOCVD、尾气处理器、MO源,请补充LED外延片生长需要用到哪些设备和原料、工艺流程是什么?目前我了解到的是MOCVD、尾气处
LED外延片生长需要用到哪些设备和原料、工艺流程是什么?目前我了解到的是MOCVD、尾气处理器、MO源,请补充
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问题是LED外延片生长是吧,那就仅仅是GaN基的LED的生长.
用到的设备主要是MOCVD设备.当然还有一些辅助设备,比如尾气处理系统、超净间及排风系统、水冷系统、气站和供气系统等.
使用的原料和耗材我原来回答过,如下:
1、生产原材料累
蓝宝石衬底(图形衬底或平面衬底)、有机源(镓源、镁源、铝源等)、氨气、高纯氮、高纯氢
2、设备易损件
石墨盘(100多炉换,看工艺了)、加热系统备件(没问题的话能用年把)、尾气过滤器(常换) Veeco有些型号的设备带有小型气体纯化器,此类不能再生,也应该算耗材之一吧.
3、配套耗材
手套、无尘布、无水乙醇、尾气中和用的酸等
工艺流程是 1 将蓝宝石衬底放入MOCVD 2 高温到1050度左右退火或叫高温刻蚀 3 低温到500度左右长低温层 4 高温到1050度左右生长非掺GaN和n型GaN 5 生长量子阱 6 生长p型GaN 7 取出来就完成外延工艺了 下面就该转到芯片工艺去了.
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