金属导体的电阻随温度的升高而增大,半导体的电阻随温度的升高而减小,这话对不?另外,半导体材料的导电能力强指的就是电阻小么?为啥光照强了导电能力就变强,从空穴什么的解释下,好像是
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/11/27 05:01:05
金属导体的电阻随温度的升高而增大,半导体的电阻随温度的升高而减小,这话对不?另外,半导体材料的导电能力强指的就是电阻小么?为啥光照强了导电能力就变强,从空穴什么的解释下,好像是
金属导体的电阻随温度的升高而增大,半导体的电阻随温度的升高而减小,这话对不?
另外,半导体材料的导电能力强指的就是电阻小么?
为啥光照强了导电能力就变强,从空穴什么的解释下,
好像是三个问题哦……
金属导体的电阻随温度的升高而增大,半导体的电阻随温度的升高而减小,这话对不?另外,半导体材料的导电能力强指的就是电阻小么?为啥光照强了导电能力就变强,从空穴什么的解释下,好像是
半导体导电能力强弱从材料的角度上来说是看禁带宽度,禁带宽度较窄,价带的电子容易跃迁到导带上,在价带形成空穴.这样同样电压下跃迁的电子更多.同理绝缘体就是禁带宽度非常大,很难跃迁,所以没有自由载流子；而导体是没有禁带,所以导电容易.
n*p=ni^2 半导体禁带宽度随着温度上升而下降,ni上升,载流子浓度上升,导电能力就有所提升.如果用电阻定义电压电流关系的话,是变小.
半导体中电流分漂移电流与扩散电流.以N型半导体为例：J= qnμE + q D dn/dx
其中μ为电子迁移率 ,D为扩散系数.如果从导电来看,可以先不看扩散电流也就是加号后面的部分.从而有J= qnμE,E是外加的电场,你可以考虑成电源的影响.n是电子密度,载流子密度.而从欧姆定律可以推出J = σE 从而可以清楚地看出 σ = qnμ.而σ 就是电导率,也就是所谓的电阻率的倒数,所以我认为导电能力强可以说电导率高,你也可以看成电阻率小.楼上所说的我觉得是器件而不是从半导体角度来说的,他指的是PN结.
光照产生的大量的电子空穴对,也就是载流子.导电也就是电流的形成是由载流子的定向 运动形成的,所以光照使得导电能力强,也就是同等电压条件下,电流加大.
最后说说你的第一个问题：金属电阻率随着温度上升而加大,半导体随着温度上升而减少.这是正确的,但是造成这种现象的并不是一个原因.还从电流公式来看J= qnμE,在忽略了扩散电流的情况下,电流由上式给出.q常量 E为你加的电场都与温度无关.
前面说过了金属没有禁带,所以载流子浓度不随着温度变化而有很大变化,但是随着温度的上升,晶格振动加强,散射加剧,迁移率下降,所以电流降低,电阻加大.
然后半导体同我在1中所讲.
金属导体的电阻随温度升高而增大是对的。电阻大小是在一定的电压作用下导体内的电子流动的速度和流量的特性，温度升高的时候电子自身活动速度加快，电压的作用相对就减弱，电阻增大。
半导体是不谈电阻的概念的。所谓半导体是包括二极管三极管等半导体器件在内的，像二极管，正向导通，电阻很小，反向不导通，就是绝缘体。...
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金属导体的电阻随温度升高而增大是对的。电阻大小是在一定的电压作用下导体内的电子流动的速度和流量的特性，温度升高的时候电子自身活动速度加快，电压的作用相对就减弱，电阻增大。
半导体是不谈电阻的概念的。所谓半导体是包括二极管三极管等半导体器件在内的，像二极管，正向导通，电阻很小，反向不导通，就是绝缘体。
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