photo etch 是指一般的蚀刻吗?还是指有特殊工艺要求的蚀刻?材料是铝

来源：学生作业帮助网编辑：六六作业网时间：2024/12/22 16:25:02

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光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤,将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺.在此之后,晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜.通过光刻工艺过程,最终在晶圆上保留的是特征图形部分.
光刻工艺也被称为大家熟知的Photomasking,masking,photolithography,或microlithography.在晶圆的制造过程中,晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成.这些部件是每次在一个掩膜层上生成的,并且结合生成薄膜及去除特定部分,通过光刻工艺过程,最终在晶圆上保留特征图形的部分.光刻生产的目标是根据电路设计的要求,生成尺寸精确的特征图形,并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件（parts）的关联正确.
光刻是所有四个基本工艺中最关键的.光刻确定了器件的关键尺寸.光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好,最终可转化为对器件的电特性产生影响.图形的错位也会导致类似的不良结果.光刻工艺中的另一个问题是缺陷.光刻是高科技版本的照相术,只不过是在难以置信的微小尺寸下完成.在制程中的污染物会造成缺陷.事实上由于光刻在晶圆生产过程中要完成5层至20层或更多,所以污染问题将会放大.
工序　　
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序.

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