为什么PN性半导体加压时,P区的空穴不会消失?不是被负极的电子都填补了吗?

来源：学生作业帮助网编辑：六六作业网时间：2024/11/26 06:46:05

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PN结的重要特性就是整流性,这要看你所加电压的方向,在PN结上外加一电压 ,如果P型一边接正极 ,N型一边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过.如果N型一边接外加电压的正极,P型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过.这就是PN结的单向导电性.
　　PN结加反向电压时 ,空间电荷区变宽 ,区中电场增强.反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大.如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁.反向电流突然增大时的电压称击穿电压.基本的击穿机构有两种,即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿,前者击穿电压小于0.6V,有负的温度系数,后者击穿电压大于0.6V,有正的温度系数.PN结加反向电压时,空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件.它的电容量随外加电压改变.
　　根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管.如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管.使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件.如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池.
　　因此,PN结不管是加正向电压还是反向电压,其空穴和电子都不会消逝,只是其转移的过程.

为什么PN性半导体加压时,P区的空穴不会消失?不是被负极的电子都填补了吗? 为什么当光线照射太阳能电池表面时,PN结中的N型半导体的空穴会往P型区移动? PN节二极管由于半导体掺杂 P型半导体是空穴多于电子 N型半导体是电子多于空穴这样P和N组合就有了一个PN节当电子和空穴复合就形成了内电厂（PN节）.当加上外电场时P区接+N区—时（电子晶体管的PN结是如何形成的初学模拟电路,P型半导体中的空穴是多数载流子,N型半导体中的电子是多数载流子电子从N向P运动,空穴相反,N失去电子带正电,P失去空穴带负电,我对为什么在“PN相接电子电工 PN结为什么电子半导体用N表示,空穴半导体用P表示?是国际统一规定的吗?电子：Electron空穴：Hole 为什么p型半导体空穴多于自由电子关于模拟电路上 pn节原理的问题普通直插二级管加反向电压时,为什么p区的空穴不会被负极来的电子中和?why,很感谢 N、P型半导体能导电吗?二极管相当于PN型两块半导体组成的,使它有单向导电性,我想问的是单块半导体如：P型半导体能导电吗?另外还有,为什么同一块P型半导体中既有空穴（多子）又有自由外加偏压时,半导体pn结中任意截面的电子空穴电流之和为什么相等?有人说用电流连续性或者粒子数守恒来解释,偶还是不很明白关于半导体掺杂.q(ND + p - NA - n) = 0怎么看出电中性的?ND 磷的浓度 NA硼的浓度 P空穴 N 电子还有为什么会有pn = ni2? 半导体的PN结中为什么P区的是负离子,N区的是正离子? 为什么半导体中PN结的P区是负离子,N区的是正离子? 半导体PN结中参与导电的载流子是空穴和自由电子,那是否意味着流过PN结的电流为自由电子的两倍?为什么在计算时仍然是电流=电压/电阻.而不是电流的二倍? 半导体中的空穴数量大大超过自由电子的数量,成为空穴导电为主的半导体,称为?型(A)N型(B)P型(C)PN型(D)NP型 pn结是怎么回事 p半导体是含空穴多的吧,n是电子多的吧,（这也不符合我知道的电子在原子周围的分布原理）处于没有外接电路时就是所谓的稳定状态时,p结部分是自由电子多呢还是空穴多,pn 金属导线电源 p型半导体连成测量电路问当半导体中的空穴到达金属导线时半导体中的空穴如何变化?空穴的总数是否会有变化 p型半导体的多子是空穴,所以带正电对不对为什么PN结加正电压时,空间电荷区,空穴运动产生的电流会比电子运动产生的电流大?