集成电路按集成度分成2类,集成度小于100个电子元件的集成电路称为小规模集成电路,超过100个电子元件的集

集成电路按集成度分成2类,集成度小于100个电子元件的集成电路称为小规模集成电路,超过100个电子元件的集
集成电路按集成度分成2类,集成度小于100个电子元件的集成电路称为小规模集成电路,超过100个电子元件的集

集成电路按集成度分成2类,集成度小于100个电子元件的集成电路称为小规模集成电路,超过100个电子元件的集
集成电路特点
集成电路具有体积小,重量轻,引出线和焊接点少,寿命长,可靠性高,性能好等优点,同时成本低,便于大规模生产.它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用,同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用.用集成电路来装配电子设备,其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍,设备的稳定工作时间也可大大提高.
编辑本段集成电路的分类
（一）按功能结构分类
集成电路按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大 集成电路
类. 模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间变化的信号.例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等）,其输入信号和输出信号成比例关系.而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号.例如3G手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻辑控制和重放的音频信号和视频信号）.
（二）按制作工艺分类
集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和薄膜集成电路. 膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路.
（三）按集成度高低分类
集成电路按集成度高低的不同可分为 SSI 小规模集成电路(Small Scale Integrated circuits) MSI 中规模集成电路(Medium Scale Integrated circuits) LSI 大规模集成电路(Large Scale Integrated circuits) VLSI 超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuits) ULSI 特大规模集成电路(Ultra Large Scale Integrated circuits) GSI 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路(Giga Scale Integration).
（四）按导电类型不同分类
集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路,他们都是数字集成电路. 双极型集成电路的制作工艺复杂,功耗较大,代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型.单极型集成电路的制作工艺简单,功耗也较低,易于制成大规模集成电路,代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型.
（五）按用途分类
集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电 集成电路
路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路. 1.电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器（CPU）集成电路、存储器集成电路等. 2.音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路,电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等. 3.影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、MPEG解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、RF信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等. 4.录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路.
（六）按应用领域分
集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路.
(七)按外形分
集成电路按外形可分为圆形(金属外壳晶体管封装型,一般适合用于大功率)、扁平型(稳定性好,体积小)和双列直插型.
编辑本段发明者
杰克·基尔比（Jack Kilby,1923年11月8日－2005年6月20日）在我们这个世界上,如果说有一项发明改变的不是某一领域,而是整个世界和革新了整个工业体系,那就是杰克发明的【集成电路IC】. 1958年9月12日,这是一个伟大时刻的开始,美国德州仪器公司工程师‘杰克.基尔比’发明了世界上第一个【集成电路IC】.这个装置揭开了人类二十世纪电子革命的序幕,同时宣告了数字信息时代的来临. 2000年他获得了诺贝尔物理学奖,这是一个迟来了四十二年的诺贝尔物理学奖.这份殊荣,因为得奖时间相隔越久,也就越突显他的成就.迄今为止,人类的电脑、手机.互联网.电视.照相机.DVD及所有电子产品内的核心部件【集成电路】,都源于他的发明. 1947年,正好是贝尔实验室宣布发明了晶体管的一年,应用晶体管组装的电子设备还是太笨重了.显然这时个人拥有一台计算机,仍然是一个遥不可及的梦想.科技总是在一个个梦想的驱动下前进.1952年,英国雷达研究所的G·W·A·达默首先提出了集成电路的构想：把电子线路所需要的晶体三极管、晶体二极管和其它元件全部制作在一块半导体晶片上.虽然从对杰克·基尔比的自述中我们看不出这一构想对他是否有影响,但我们也能感受到,微电子技术的概念即将从工程师们的思维里喷薄而出.当时在德州仪器专注电路小型化研究的基尔比,利用多数同事放假、无人打扰的两周思考难题.就在贝尔实验室庆祝发明电晶体十周年后一个月,基尔比灵光涌现,在办公室写下五页关键性的实验日志. 基尔比的新概念,是利用单独一片矽做出完整的电路,如此可把电路缩到极小.当时同业都怀疑这想法是否可行,「我为不少技术论坛带来娱乐效果,」基尔比在他所着「集成电路IC的诞生」一文中形容.1958年.世界上第一个集成电路IC【微芯片】在他的努力下诞生
编辑本段集成电路发展简史
1.世界集成电路的发展历史
1947年：贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑； 集成电路
1950年：结型晶体管诞生； 1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺； 1951年：场效应晶体管发明； 1956年：C S Fuller发明了扩散工艺； 1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史； 1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺； 1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管； 1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； 1964年：Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍； 1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列（50门）； 1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司； 1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM）,标志着大规模集成电路出现； 1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明； 1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802； 1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世； 1978年：64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临； 1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC； 1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世； 1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM； 1985年：80386微处理器问世,20MHz； 1988年：16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段； 1989年：1Mb DRAM进入市场； 1989年：486微处理器推出,25MHz,1μm工艺,后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺； 1992年：64M位随机存储器问世； 1993年：66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺； 1995年:Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工艺； 集成电路
1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺； 1999年：奔腾Ⅲ问世,450MHz,采用0.25μm工艺,后采用0.18μm工艺； 2000年: 1Gb RAM投放市场； 2000年：奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18μm工艺； 2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺. 2003年：奔腾4 E系列推出,采用90nm工艺. 2005年：intel 酷睿2系列上市,采用65nm工艺. 2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市. 2009年：intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发.
2.我国集成电路的发展历史
我国集成电路产业诞生于六十年代,共经历了三个发展阶段： 1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标,以开发逻辑电路为主要产 品,初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件； 1978年-1990年：主要引进美国二手设备,改善集成电路装备水平,在“治散治乱”的同时,以消费类整机作为配套重点,较好地解决了彩电集成电路的国产化； 1990年-2000年：以908工程、909工程为重点,以CAD为突破口,抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设,为信息产业服务,集成电路行业取得了新的发展.
编辑本段集成电路的封装种类
1、BGA
(ball grid array) 球形触点陈列,表面贴装型封装之一.在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引 集成电路
脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封.也 称为凸 点陈列载体(PAC).引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装. 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小.例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方.而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题. 该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有 可 能在个人计算机中普及.最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225.现在 也有 一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA. BGA 的问题是回流焊后的外观检查.现在尚不清楚是否有效的外观检查方法.有的认为 , 由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理. 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见OMPAC 和GPAC).
2、BQFP
(quad flat package with bumper) 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装.QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形.美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中 采用 此封装.引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP).
4、C－
(ceramic) 表示陶瓷封装的记号.例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP.是在实际中经常使用的记号.
5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路.带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等.引脚中 心 距2.54mm,引脚数从8 到42.在日本,此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思).
6、Cerquad
表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路.带有窗 口的 集成电路
Cerquad 用于封装EPROM 电路.散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1. 5～ 2W 的功率.但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍.引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格.引脚数从32 到368. 带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 . 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等.此封装也称为 QFJ、QFJ－G(见QFJ).
8、COB
(chip on board) 板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用 树脂覆 盖以确保可靠性.虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术.
9、DFP
(dual flat package) 双侧引脚扁平封装.是SOP 的别称(见SOP).以前曾有此称法,现在已基本上不用.
10、DIC
(dual in-line ceramic package) 陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
http://baike.baidu.com/view/1355.htm