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来源：学生作业帮助网编辑：六六作业网时间：2024/11/25 16:09:20

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在一块完整的硅片上,用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结.
在P型半导体和N型半导体结合后,由于N型区内电子很多而空穴很少,而P型区内空穴很多电子很少,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别.这样,电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散.于是,有一些电子要从N型区向P型区扩散,也有一些空穴要从P型区向N型区扩散.它们扩散的结果就使P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子.半导体中的离子不能任意移动,因此不参与导电.这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近,形成了一个很薄的空间电荷区.
在出现了空间电荷区以后,由于正负电荷之间的相互作用,在空间电荷区就形成了一个内电场,其方向是从带正电的N区指向带负电的P区.显然,这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反,阻止扩散.
另一方面,这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移,使P区的少数载流子电子向N区漂移,漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反.从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴,从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子,这就使空间电荷减少,内电场减弱.因此,漂移运动的结果是使空间电荷区变窄,扩散运动加强.
最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡.在P型半导体和N型半导体的结合面两侧,留下离子薄层,这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结.PN结的内电场方向由N区指向P区.在空间电荷区,由于缺少多子,所以也称耗尽层.

在PN结原理讲解中,漂移电流和扩散电流平衡, 在pn结中,少数漂移电流会不会抵消内建电场? P、N型材料互联形成PN结,P型或N型和金属相联处也有浓度差扩散电流和漂移电流,可以形成类似电荷区吗? 载流子的扩散和漂移为什么说漂移会使PN结变窄,扩散使PN结变宽?扩散为横向,漂移为纵向?请说明白点,呵呵,不懂! PN结空间电菏区是耗尽层,怎么还有扩散电流和返回电流平衡的说法在半导体中,热平衡时,扩散电流等于漂移电流；有光照时,为什么p-n结中产生的空穴电子对还可以移动呢?既然在平衡时已经扩散电流等于漂移电流,那么说明两个相反方向的电场相等了,那么光恳求指教：PN结为什么会产生漂移电流呢?根据少子和PN结极性判断应该少子被排斥而远离PN结呀? 三极管基极电流形成的一点疑问关于扩散运动形成发射极电流IE和漂移运动形成集电极电流IC都可以明白,但是载流子复合形成基极电流IB无法理解,看PN结的那个章节时,似乎并没有提到复合也 pn结加正向电流为什么不马有扩散电流,为什么要大于门槛电压才导通,不是PN结扩散电 (physics)什么是扩散运动和漂移运动?注：在学PN结时遇到的问题. 在pn结中电子和空穴为什么有扩散运动?扩散运动的原因是什么? 形成pn结经过了多子的（扩散）运动和勺子的（漂移）运动,我填的是扩散和漂移,但是答案是多子漂移,少子形成pn结经过了多子的（）运动和少子的（）运动,我填的是扩散和漂移,但是答案关于pn结中多子少子在书中看到:正向偏置有利于多子扩散,反向偏置有利于少子漂移.但老师说PN结的耗尽区中电子和空穴浓度梯度下降或上升,不存在严格意义上的多子和少子.一般多子和少子为什么空穴电流密度是漂移电流减去扩散电流?而电子电流密度是两者相加.这个符号怎么理解?扩散和漂移不该是两个相反的过程么,我觉得都该相减! 半导体PN结中参与导电的载流子是空穴和自由电子,那是否意味着流过PN结的电流为自由电子的两倍?为什么在计算时仍然是电流=电压/电阻.而不是电流的二倍? 半导体二极管当正偏时,势垒区如何?扩散电流怎样漂移电流? 1．PN结未加外部电压时,扩散电流( )漂移电流.A．大于 B．小于 C．等于 D．视情况而定2．集成运放的差模输入信号是差动放大电路两个输入信号的( ).A．和 B．差 C．比 D.平均值3．工作点稳定半导体-----三极管NPN型三极管,为什么要在集极加反偏电压,形成漂移电流.而不是加正向偏执电压,形成扩散电流?