n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/12/23 14:00:03
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n沟道增强型mos管栅极加负电压
N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.
我想问,如果加反向电压,那么应该吸引更多的空穴到二氧化硅表面,空穴不是能导电吗?为什么说不能导通?是不是因为必须先使耗尽层联通起来,不然无法形成导电沟道.
n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那
要知道 导电本质是电子的移动
你可以这样理解 Vgs=0时不导电,可以利用pn解释为空间电荷区在外电场作用下加宽阻碍了电子的运动
那么在沟道被空穴填满是情况更加不乐观了 高浓度的空穴会加快与N+区得电子中和 ,从而形成更宽的耗尽层 电子移动更加困难
在沟道里充满电子的情况是呢?衬底里的空穴被排斥,电子被吸引 这是可以认为沟道整块带负电而含有少子电子 N+区电子浓度高自然会向衬底扩散 电流形成
如果是p沟道增强型 则Vgs负电压吸引n型衬底中的少子空穴 可以认为沟道整块带正点且含有少子空穴,id产生是因为p区少子电子的移动么?
n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那
4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)如题
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N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极...N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极并联的电阻如何会增大输入电阻?
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MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢?
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怎么判断MOS管是N沟道还是P沟道?
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