N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏

N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏 N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复?一个常用N沟道MOS管2N7002E（NXP产）,封装SOT32,取一只新管进行测量（未焊接、未使用）,使用万用表的“二极管”档,1.红笔 n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那 N沟道MOS管的datasheet,VGS（th） Min:0.6V Max:1.2V 栅极电压多少管子能正常工作?管子型号：IRLML2502PbF 4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)如题 N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? n沟道mos管有哪些 MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢? 怎么判断MOS管是N沟道还是P沟道? 怎么判断MOS管是N沟道还是P沟道? 绝缘栅型场效应管的问题为何在N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间要加一个电压,它有什么作用?把栅极和衬底直接连一个电源而不与源极相连是否可以?为什么?请详细解答把栅极和衬底直接 功率场效应管P沟道MOS管和N沟道MOS管的区别? N沟道结型场效应管的导通条件是什么?它的截止条件又是是什么?栅极电压能否大于源极电压?希望能用自己的话简单总结一下,有些回答看的不是很懂! N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极...N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极并联的电阻如何会增大输入电阻? MOS管关闭状态下,栅极电压最大能允许多大?是不是在接近导通电压Vgs时不安全,时间长可能会导通? P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别? N沟道增强型MOS管与P沟道增强型MOS管主要区别是什么? 求 MOS管 推荐,栅极5V电压下就能完全导通的MOSFET,N或P沟道都可以.直插的封装