N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复?一个常用N沟道MOS管2N7002E（NXP产）,封装SOT32,取一只新管进行测量（未焊接、未使用）,使用万用表的“二极管”档,1.红笔

来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/12/27 02:36:31
N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复?一个常用N沟道MOS管2N7002E（NXP产）,封装SOT32,取一只新管进行测量（未焊接、未使用）,使用万用表的“二极管

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N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复?
一个常用N沟道MOS管2N7002E（NXP产）,封装SOT32,取一只新管进行测量（未焊接、未使用）,使用万用表的“二极管”档,1.红笔接S,黑笔接D,有0.6V压降,正常；2.红笔接D,黑笔接S,无压降,完全绝缘,正常；3.这时,将红笔接G,黑笔接D,万用表鸣响,短路,不正常；4.之后再重复“第1项”和“第2项”测量,万用表都鸣响,发生短路,不正常（难道已击穿?）；5.这时再将红笔接S,黑笔接G,万用表无压降,不鸣响,正常；6.最后,也就是最奇怪的地方,再进行“第1项”和“第2项”测量,均恢复正常（难道管子已被修复?）.
请问这位高手,这是怎么回事呢?

N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复?一个常用N沟道MOS管2N7002E（NXP产）,封装SOT32,取一只新管进行测量（未焊接、未使用）,使用万用表的“二极管”档,1.红笔
由于栅极绝缘程度极高,栅极又有电容特性.因此极容量积累电荷,并存储电荷,形成电压.
在你测量的过程中,如果栅极悬空被空间电荷或者感应电荷存储了,也或者在用万用表对栅极电容进行了充电操作,都会让MOS管的DS持续保持导通.如果电压过高,栅极可能击穿损坏.
在测量DS时候,最好将G与S短接,或者GS之间接一个电阻,或者放置在防静电的工作台上.由于MOS过于脆弱,一定保证人体无静电.
从你测量的结果看,明显的G存储了电荷并导致DS导通,G的电荷释放后DS又恢复了正常.

N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏 N沟道MOS管截止状态下,栅极电压高于漏极电压,MOS管就损坏?并且能修复?一个常用N沟道MOS管2N7002E（NXP产）,封装SOT32,取一只新管进行测量（未焊接、未使用）,使用万用表的“二极管”档,1.红笔 n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那 N沟道MOS管的datasheet,VGS（th） Min:0.6V Max:1.2V 栅极电压多少管子能正常工作?管子型号：IRLML2502PbF 4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)如题 N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? n沟道mos管有哪些 MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢? 怎么判断MOS管是N沟道还是P沟道? 怎么判断MOS管是N沟道还是P沟道? 绝缘栅型场效应管的问题为何在N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间要加一个电压,它有什么作用?把栅极和衬底直接连一个电源而不与源极相连是否可以?为什么?请详细解答把栅极和衬底直接 功率场效应管P沟道MOS管和N沟道MOS管的区别? N沟道结型场效应管的导通条件是什么?它的截止条件又是是什么?栅极电压能否大于源极电压?希望能用自己的话简单总结一下,有些回答看的不是很懂! N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极...N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极并联的电阻如何会增大输入电阻? MOS管关闭状态下,栅极电压最大能允许多大?是不是在接近导通电压Vgs时不安全,时间长可能会导通? P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别? N沟道增强型MOS管与P沟道增强型MOS管主要区别是什么? 求 MOS管 推荐,栅极5V电压下就能完全导通的MOSFET,N或P沟道都可以.直插的封装