半导体晶体管PN结掺杂疑惑为什么在制作PN结时往纯净半导体里加入的是四价或五价元素,而不是六价七价或更多价的元素呢?

半导体晶体管PN结掺杂疑惑为什么在制作PN结时往纯净半导体里加入的是四价或五价元素,而不是六价七价或更多价的元素呢? 晶体管的PN结是如何形成的初学模拟电路,P型半导体中的空穴是多数载流子,N型半导体中的电子是多数载流子电子从N向P运动,空穴相反,N失去电子带正电,P失去空穴带负电,我对为什么在“PN相接 目前的晶体管的PN结还是在本征半导体中掺杂三价和五价元素吗?可不可以在本证半导体中掺入二价和六价元素呢?这样是不是导电性能将会有很大的提高? 怎样在p型半导体上形成pn结 为什么掺杂浓度越高,PN结越窄?P,N都是高掺杂的情况下,为什么PN结却越窄了 PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄 半导体 PN结在现实中是怎么制作的呢? 关于半导体掺杂.q(ND + p - NA - n) = 0怎么看出电中性的?ND 磷的浓度 NA硼的浓度 P空穴 N 电子还有为什么会有pn = ni2? 为什么在半导体上掺杂金属离子会减小半导体的禁带宽? 为什么半导体中PN结的P区是负离子,N区的是正离子? 半导体的PN结中为什么P区的是负离子,N区的是正离子? 晶体管的PN结允许电子通过的方向是由P到N还是N到P?为什么? 模电 书中说 在掺杂浓度不对称的PN结中 耗尽区在重掺杂一边延伸较小 而在轻掺杂一边延伸较大 这是为什么啊 自学模电不易 模电二极管PN结问题PN结掺杂程度越高,其耗尽层越窄,为什么? 关于pn结为什么在PN结加上正向电压,PN结会变薄.上网找了很久都还是不明白.好像是与电力场有关系的,不过之间的不是中性的PN结吗?这有与电力场有什么关系?还有为什么P半导体不能与N半导体 在制备集成电路双极型晶体管时,为什么N型集电区的引线孔区域要重掺杂? 关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什么呢?既然掺杂浓度越大, 为什么晶体管的伏安特性和PN结的相似