编写程序将片内RAM 50H、51H、52H三个单元中的无符号数相加,和存入R0（高位）和R1（低位）.用8051P3口做输出口,接8只发光二极管,编写程序,使发光二极管循环点亮.每个发光二极管点亮延时2s（
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/11/17 06:56:26
编写程序将片内RAM 50H、51H、52H三个单元中的无符号数相加,和存入R0（高位）和R1（低位）.用8051P3口做输出口,接8只发光二极管,编写程序,使发光二极管循环点亮.每个发光二极管点亮延时2s（
编写程序将片内RAM 50H、51H、52H三个单元中的无符号数相加,和存入R0（高位）和R1（低位）.
用8051P3口做输出口,接8只发光二极管,编写程序,使发光二极管循环点亮.每个发光二极管点亮延时2s（晶振为6MHz）.
14.MOV A,#28H ………………（A）=
MOV R2,#35H ………………（R2）=
MOV 40H,#13H ………………（40H）=
MOV R0,#42H ………………（R0）=
ADD A,R2 ………………（A）=
CLR C ………………（C）=
ADDC A,@R0 ………………（A）=
ADDC A,40H ………………（A）=
15.统计片外RAM30H～3FH单元中零的个数,存于R7中.
16.在内部RAM的31H单元开始存有一组单字节无符号数,数据长度为8,要求找出最小数存入30H单元.
17.请编写能完成16位二进制数67D3H减去23F9H运算的程序,计算结果的高8位和低8位分别放在内部数据存储器的40H和41H单元.
18.存放在外部数据存储器3000H单元的自变量X为一无符号数,函数Y存放在内部数据存储器40H单元中,请编写满足如下关系的程序：
某系统采用串口与上位机(PC)通信,采用工作方式1,波特率为9600bps,完成波特率设置.（晶振为11.0592MHz）
20.阅读程序并回答问题.设R0=20H、R1=25H、(20H)=60H、(21H)=79H、(22H)=66H、(23H)=30H、(25H)=90H,程序如下：
CLR C
LOOP:MOV A,@R0
ADDC A,@R1
MOV @R0,A
INC R0
INC R1
JNC NEXT
MOV @R0,#01H
SJMP＄
NEXT:DEC R0
SJMP＄
程序执行后：
（20H）= (21H)= CY= A=
R0= R1=
21.请填写程序执行结果.已知执行前有A=04H程序如下：
MOV DPTR,#3000H
MOV B,A
MOVC A,@A+DPTR
MOV R1,A
MOV A,B
INC A
MOV B,A
MOVC A,@A+DPTR
MOV R2,A
MOV A,B
INC A
MOVC A,@A+DPTR
MOV R3,A
RET
ORG 3000H
DB 10H,80H,30H,80H,50H,80H
程序执行后：
A= B= R1= R2= R3=
编写程序将片内RAM 50H、51H、52H三个单元中的无符号数相加,和存入R0（高位）和R1（低位）.用8051P3口做输出口,接8只发光二极管,编写程序,使发光二极管循环点亮.每个发光二极管点亮延时2s（
YS1S:MOV R7,#10
YS100MS:MOV R6,#100
YS1MS:MOV R5,#125
YS:NOP
NOP
DJNZ R5,YS
DJNZ R6,YS1MS
DJNZ R7,YS100MS
延时1秒程序,6M晶振
好多