一金属导体薄片置于如下图所示的磁场中,薄片中电流的方向向右,上下两侧的霍耳电势差为什么是Va>Vb?
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/11/22 21:14:58
一金属导体薄片置于如下图所示的磁场中,薄片中电流的方向向右,上下两侧的霍耳电势差为什么是Va>Vb?一金属导体薄片置于如下图所示的磁场中,薄片中电流的方向向右,上下两侧的霍耳电势差为什么是Va>Vb?
一金属导体薄片置于如下图所示的磁场中,薄片中电流的方向向右,上下两侧的霍耳电势差为什么是Va>Vb?
一金属导体薄片置于如下图所示的磁场中,薄片中电流的方向向右,上下两侧的霍耳电势差为什么是Va>Vb?
一金属导体薄片置于如下图所示的磁场中,薄片中电流的方向向右,上下两侧的霍耳电势差为什么是Va>Vb?
导体中的自由电子定向移动方向为从右向左,由于电子带负电,它们受到的洛仑兹力为向下.于是导体的下表面就积聚起负电荷,从而引起下表面的电位降低,于是:
上下两侧的霍耳电势差为什么是Va>Vb.
一金属导体薄片置于如下图所示的磁场中,薄片中电流的方向向右,上下两侧的霍耳电势差为什么是Va>Vb?
12.如图11所示,水平放置的金属架相距L,左端接阻值未知的电阻R,导体棒MN与框架垂直,装置置于均匀增大的匀强磁场中,当t=0时,B=B0,导体棒MN与框架间无摩擦,为保持MN静止在框架上,用一水平力F
一 U 形金属道轨水平放置,置于竖直向下的均匀磁场B中,道轨所在的平面与磁场垂直.质量为m的导体棒ab 水平放置于道轨之上,并与道轨垂直.整个装置的俯视图如右图所示.棒ab在道轨间的长度
如图1-4-8所示,两根平行且足够长的金属导轨置于磁感应强度为B的匀强磁场中,磁场 如图1-4-8所示,两根平行且足够长的金属导轨置于磁感应强度为B的匀强磁场中,磁场的方向垂直于导轨平面,两
如图4-7-9所示,CD,EF为足够长的光滑平行竖直金属导轨,磁感应强度B=0.5T的水平匀强磁场与导轨平面垂直,置置于导轨上的导体棒MN的长等于导轨间距,其电阻等于电池内阻.电池电动势E=1.5V.回路中
如下图所示,足够长的光滑导轨ab、cd水平置于竖直向下的匀强磁场中,变压器为理想变压器.现用水平向右的恒力F使金属杆MN从静止开始向右运动.下列说法正确的是( )A.通过线圈n1的电流为
如图17-10所示,一水平放置的U形光滑金属导轨,宽度为0.1m.导体AC质量m=0.05kg如图17-10所示,一水平放置的U形光滑金属导轨,宽度为0.1m.导体AC质量m=0.05kg,可沿导轨无摩擦地滑动,整个装置垂直置于磁
一圆形线圈,一半置于匀强磁场中,磁场方向垂直纸面向里,如图所示.为使线圈中感应4、一圆形线圈,一半置于匀强磁场中,磁场方向垂直纸面向里,如图4所示.为使线圈中感应出顺时针方向的电流
怎样判断电流的方向如图9-1-27所示,金属棒 ab 置于水平放置的金属导体框架 cdef 上,棒 ab 与框架接触良好.从某一时刻开始,给这个空间施加一个斜向上的匀强磁场,并且磁场均匀增加,ab 棒
矩形金属框置于匀强磁场中,ef为一导体棒可在ab和cd间滑动并接触良好答案是C,求解释
2010理综北京卷23题北京卷23题第一个问 为什么C端电势高利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域.如图1,将一金属或半导体薄片垂直至于磁场B中,在薄片的两
一无限长的光滑金属平行导轨置于匀强磁场B中,磁场方向垂直导轨平面,导轨一端MN间接一电阻R,PQ端接一对平行金属板.导体棒ab置于导轨上,其电阻 ,导轨电阻不计,棒长为L,平行金属板间距为d,
如图4-12所示,两平行金属长导轨CD和EF置于竖直平面内,磁感应强度为0.5T的水平匀强磁场,与CD、EF所在平面垂直.导体棒MN可以在导轨上作无摩擦的滑动.MN的电阻不可忽略,其余部分的电阻可忽略.
粗细均匀的电阻丝围成的正方形线框置于有界匀强磁场中磁场方向垂直于线框平面,其边界与正方形线框的边平行.现使线框以同样大小的速度沿四个不同方向平移出磁场,如下图所示,则在移出
粗细均匀的电阻丝围成的正方形线框置于有界匀强磁场中磁场方向垂直于线框平面,其边界与正方形线框的边平行.现使线框以同样大小的速度沿四个不同方向平移出磁场,如下图所示,则在移出
粗细均匀的电阻丝围成的正方形线框置于有界匀强磁场中磁场方向垂直于线框平面,其边界与正方形线框的边平行.现使线框以同样大小的速度沿四个不同方向平移出磁场,如下图所示,则在移出
粗细均匀的电阻丝围成的正方形线框置于有界匀强磁场中磁场方向垂直于线框平面,其边界与正方形线框的边平行.现使线框以同样大小的速度沿四个不同方向平移出磁场,如下图所示,则在移出
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