CVD（化学气相沉积）的原理及应用是什么
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/12/23 04:53:45
CVD（化学气相沉积）的原理及应用是什么
CVD（化学气相沉积）的原理及应用是什么
CVD（化学气相沉积）的原理及应用是什么
CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积),指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程.在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备.经过CVD处理后,表面处理膜密着性约提高30%,防止高强力钢的弯曲,拉伸等成形时产生的刮痕.
CVD是Chemical Vapor Deposition的简称,是指高温下的气相反应,例如,金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解,氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法.这种技术最初是作为涂层的手段而开发的,但目前,不只应用于耐热物质的涂层,而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等,是一个颇具特征的技术领域. 其技术特征在于：（1）高熔点物质能够在低温下合成；（2）析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种；（3）不仅可以在基片上进行涂层,而且可以在粉体表面涂层,等.特别是在低温下可以合成高熔点物质,在节能方面做出了贡献,作为一种新技术是大有前途的. 例如,在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC,而且正向更低温度发展. CVD工艺大体分为二种：一种是使金属卤化物与含碳、氮、硼等的化合物进行气相反应；另一种是使加热基体表面的原料气体发生热分解. CVD的装置由气化部分、载气精练部分、反应部分和排除气体处理部分所构成.目前,正在开发批量生产的新装置. CVD是在含有原料气体、通过反应产生的副生气体、载气等多成分系气相中进行的,因而,当被覆涂层时,在加热基体与流体的边界上形成扩散层,该层的存在,对于涂层的致密度有很大影响.图2所示是这种扩散层的示意图.这样,由许多化学分子形成的扩散层虽然存在,但其析出过程是复杂的.粉体合成时,核的生成与成长的控制是工艺的重点. 作为新的CVD技术,有以下几种： （1）采用流动层的CVD； （2）流体床； （3）热解射流； （4）等离子体CVD； （5）真空CVD,等. 应用流动层的CVD如图3所示,可以形成被覆粒子（例如,在UO2表面被覆SiC、C）,应用等离子体的CVD同样也有可能在低温下析出,而且这种可能性正在进一步扩大
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其含义c是气3相中3化1学反5应的固体产物沉积到表面。CVD装置由下k列部件组成；反7应物供应系统，气3相反7应器，气4流传送系统。反6应物多为0金属氯化8物，先被加热到一g定温度，达到足够高的蒸汽压，用载气5（一s般为6Ar或H3）送入v反4应器。如果某种金属不a能形成高压氯化4物蒸汽，就代之d以8有机金属化2合物。在反2应器内4，被涂材料或用金属丝悬挂，或放在平面上y，或沉没在粉末8的流化0床...
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其含义c是气3相中3化1学反5应的固体产物沉积到表面。CVD装置由下k列部件组成；反7应物供应系统，气3相反7应器，气4流传送系统。反6应物多为0金属氯化8物，先被加热到一g定温度，达到足够高的蒸汽压，用载气5（一s般为6Ar或H3）送入v反4应器。如果某种金属不a能形成高压氯化4物蒸汽，就代之d以8有机金属化2合物。在反2应器内4，被涂材料或用金属丝悬挂，或放在平面上y，或沉没在粉末8的流化0床中7，或本身就是流化5床中4的颗粒。化3学反3应器中7发生，产物就会沉积到被涂物表面，废气1（多为2HCl或HF）被导向碱性吸收或冷阱。 沉积反3应可认4为5还原反2应、热解反7应和取代反0应几a类。CVD反3应可分6为5冷壁反7应与l热壁反0应。在热壁反1应中7，化1学反4应的发生与t被涂物同处一h室。被涂物表面和反3应室的内1壁都涂上b一z层薄膜。在热壁反8应器中1只加热被涂物，反3应物另行导入q。
2011-10-28 11:18:35
收起
有没有精简点得