简述设计制备NMOSFET的工艺,并画出流程图.

来源：学生作业帮助网编辑：六六作业网时间：2024/12/29 10:43:41

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简述设计制备NMOSFET的工艺,并画出流程图.
简述设计制备NMOSFET的工艺,并画出流程图.

简述设计制备NMOSFET的工艺,并画出流程图.
1.衬底p-Si
ρ=30~50Ω?cm
2.初始氧化
SiO2 层厚度250 A
氧化后淀积Si3N4
Si3N4厚度1400 A
3.光刻Ⅰ
场区光刻,刻掉场区的Si3N4
不去胶,阻挡离子注入
4.场区注硼
250 A的SiO2防止隧道效应
注硼是为了提高场区的表面浓度,以提高场开启
5.场区氧化,8500 A
氧化层是热生长形成的,此时硼将继续推进,Si3N4阻挡氧化.
由于Si:SiO2=0.44:1（体积比）
这种做法可以降低台阶高度,称为准等平面工艺
6.去掉有源区的Si3N4和SiO2
Si3N4：用磷酸腐蚀 SiO2：用标准的光刻腐蚀液
7.预栅氧
SiO2 层厚度250 A
为离子注入作准备
8.调整阈电压注入（注硼）
目的：改变有源区表面的掺杂浓度,获得要求的阈电压
9.去掉预栅氧
10.栅氧化
SiO2 层厚度250 A
这一步需要单独做,必须生长高质量的氧化层
11.淀积多晶硅,
Poly-Si,3800 A
扩磷,使多晶硅成为n+型（n+-Poly-Si）
12.光刻Ⅱ
刻多晶硅,不去胶
13.离子注入
源漏区注砷（As）,热退火
选择As作源漏区,是因为同一温度下,As的扩散系数比磷小,横向扩散距离小
到这一步,MOSFET已经形成,只是未引出电极
14.去胶,低温淀积SiO2
15.光刻Ⅲ刻引线孔
16.蒸铝
17.光刻Ⅳ刻电极
概括的说就是先场氧,后栅氧,再淀多晶si,最后有源区注入

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