杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用何为本征半导体,为什么制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料.

来源：学生作业帮助网编辑：六六作业网时间：2024/12/19 05:39:01

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杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用何为本征半导体,为什么制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料.
杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用
何为本征半导体,为什么制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料.

杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用何为本征半导体,为什么制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料.
1) 本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体.绝对零度时价带被价电子填满,导带是空的.
2) 随着温度的升高,本征载流子浓度迅速地增加,在本征时器件不能稳定工作.而对于掺杂半导体,室温附近载流子主要来源于杂质电离,在杂质全部电离的情况下,载流子浓度一定,器件就能稳定工作.所以,制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料,而且每一种半导体材料制成的器件都有一定的极限工作温度,超过这一温度后,器件就会失效.
3) 杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用：是半导体Si\Ge的导电性能发生显著的改变.
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本征半导体通俗点讲就是不参杂的半导体。
掺杂工艺是基于高纯半导体而言的，我们需要制备高纯是为了有目的的掺杂，从而使半导体性质根据掺杂可控。

半导体掺杂的目的是为了控制半导体的导电性，其中一个重要作用是制作pn结及其相关的器件。参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

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