在掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情况下的主要散射机构是什么?对化合物半导体GaAs,一般情形 下的主要散射机构是什么?对上述两类半导体材料,请分别写出主要散射机构所决定的平均自由时

在掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情况下的主要散射机构是什么?对化合物半导体GaAs,一般情形 下的主要散射机构是什么?对上述两类半导体材料,请分别写出主要散射机构所决定的平均自由时 我在Si中掺杂一些B做成P型半导体,然后再从Si中掺杂P元素造成N型半导体,利用半导体的seebeck效应发电他们的seebeck系数是多少?能给我讲讲公式是怎样的,重点讲讲公式的每一部分是什么意思.假 在N型硅半导体体中,掺杂的磷元素与硅元素相结合形成共价键,这是不是化学反应 杂质在元素半导体 Si和Ge中的作用何为本征半导体,为什么制造半导体器件一般都会用含有何当杂志的半导体材料. 什么叫半导体的轻掺杂、中掺杂和重掺杂, 关于半导体物理中的能级问题.我在某书看到半导体掺杂能级图如下.如果Ec是本征材料(比如Si)的导带能级、Ev是Si的价带能级那如果P掺杂材料为B(通常都掺杂B),B的本征能级应该比Ev低才对?为什 制备杂质半导体时一般按什么比例在本征半导体中掺杂? 半导体中的掺杂半导体分哪几种?半导体中的掺杂半导体貌似有两类,跪求这两种的名称 本征半导体掺杂成p型半导体中杂质的要求 为什么在半导体上掺杂金属离子会减小半导体的禁带宽? 掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化 ．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大．温度 B．晶体缺陷 C．掺杂工艺 D．掺杂浓度 Si 和Ge 是常用的——元素 为何半导体硅中掺五族的氮、磷称为N型半导体,而氧化锌中掺氮元素称为p型掺杂? 目前的晶体管的PN结还是在本征半导体中掺杂三价和五价元素吗?可不可以在本证半导体中掺入二价和六价元素呢?这样是不是导电性能将会有很大的提高? 半导体工艺中,掺杂有哪几种方式? 半导体晶体管PN结掺杂疑惑为什么在制作PN结时往纯净半导体里加入的是四价或五价元素,而不是六价七价或更多价的元素呢? 为什么半导体要掺杂三价或者五价的元素?为什么不能掺杂六价或者四价的元素呢?或者其他的