我在Si中掺杂一些B做成P型半导体,然后再从Si中掺杂P元素造成N型半导体,利用半导体的seebeck效应发电他们的seebeck系数是多少?能给我讲讲公式是怎样的,重点讲讲公式的每一部分是什么意思.假

我在Si中掺杂一些B做成P型半导体,然后再从Si中掺杂P元素造成N型半导体,利用半导体的seebeck效应发电他们的seebeck系数是多少?能给我讲讲公式是怎样的,重点讲讲公式的每一部分是什么意思.假 关于半导体物理中的能级问题.我在某书看到半导体掺杂能级图如下.如果Ec是本征材料(比如Si)的导带能级、Ev是Si的价带能级那如果P掺杂材料为B(通常都掺杂B),B的本征能级应该比Ev低才对?为什 本征半导体掺杂成p型半导体中杂质的要求 P型半导体中是不是杂质获取电子的能力强?如果P型半导体为硅硼掺杂的,硼的电子层少对电子吸引力大,硅的电子容易被其吸引,在硅原子周围形成空穴,这样说对吗?那么镓,铟是不是不和硅掺杂 制备杂质半导体时一般按什么比例在本征半导体中掺杂? ．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大．温度 B．晶体缺陷 C．掺杂工艺 D．掺杂浓度 在N型硅半导体体中,掺杂的磷元素与硅元素相结合形成共价键,这是不是化学反应 半导体工艺中,掺杂有哪几种方式? 为何半导体硅中掺五族的氮、磷称为N型半导体,而氧化锌中掺氮元素称为p型掺杂? P型半导体有什么特征一般用什么元素掺杂 什么叫半导体的轻掺杂、中掺杂和重掺杂, 问个半导体多子少子的问题1.在杂质半导体中多子的数量与 ( a )（a.掺杂浓度、b.温度）有关.2.在杂质半导体中少子的数量与 ( b )（a.掺杂浓度、b.温度）有关. 为什么n型半导体中重掺杂会使费米能级进入导带 在掺杂的元素半导体Si、Ge中,一般情况下的主要散射机构是什么?对化合物半导体GaAs,一般情形 下的主要散射机构是什么?对上述两类半导体材料,请分别写出主要散射机构所决定的平均自由时 在本征半导体中加入（ ）元素可形成P型半导体.A.五价B.四价C.三价 掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化 si半导体 为什么半导体中可以同时存在两个掺杂费米能级Efn和Efp1）是否只有heavy doping才会让费米能级移动到导带以上或者价带以下?2）同一块半导体中可以同时存在P掺杂和N掺杂吗?自由电子和自由空