P型半导体中是不是杂质获取电子的能力强?如果P型半导体为硅硼掺杂的,硼的电子层少对电子吸引力大,硅的电子容易被其吸引,在硅原子周围形成空穴,这样说对吗?那么镓,铟是不是不和硅掺杂

来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/12/18 17:23:21
P型半导体中是不是杂质获取电子的能力强?如果P型半导体为硅硼掺杂的,硼的电子层少对电子吸引力大,硅的电子容易被其吸引,在硅原子周围形成空穴,这样说对吗?那么镓,铟是不是不和硅掺杂P型半导体中是不是杂质

P型半导体中是不是杂质获取电子的能力强?如果P型半导体为硅硼掺杂的,硼的电子层少对电子吸引力大,硅的电子容易被其吸引,在硅原子周围形成空穴,这样说对吗?那么镓,铟是不是不和硅掺杂
P型半导体中是不是杂质获取电子的能力强?
如果P型半导体为硅硼掺杂的,硼的电子层少对电子吸引力大,硅的电子容易被其吸引,在硅原子周围形成空穴,这样说对吗?那么镓,铟是不是不和硅掺杂形成P型半导体?

P型半导体中是不是杂质获取电子的能力强?如果P型半导体为硅硼掺杂的,硼的电子层少对电子吸引力大,硅的电子容易被其吸引,在硅原子周围形成空穴,这样说对吗?那么镓,铟是不是不和硅掺杂
理解的有一定的深度,空穴是不同原子间形成共价键.共价键使不同原子公用电子,达到最外层八个电子的稳定结构,如果还有原子剩余电子,则该电子自由.于是材料靠电子导电,即为N型.否则电子不足,照样共价后,便在共价的位置产生反电子,即为空穴.空穴不自由,但可以传递,从而材料导电类型变成P型.

P型半导体中是不是杂质获取电子的能力强?如果P型半导体为硅硼掺杂的,硼的电子层少对电子吸引力大,硅的电子容易被其吸引,在硅原子周围形成空穴,这样说对吗?那么镓,铟是不是不和硅掺杂 P型-杂质半导体在P型半导体中,空穴上是不是真正的存在正电荷?这个正电荷是怎么出现的?导体中同样会失去电子,正电荷和负电荷同样不相等,为什么在导体中的载流子只是电子? 杂质半导体中,空穴的浓度比电子浓度高得多的,主要依靠空穴导电的称为( ).A.N型半导体B.P型半导体C.电子型半导体 室温下,对于掺入相同数量杂质的p型半导体和N型半导体,其导电能力()A.二者相同 B.N型导电能力强 C.P型导电能力强为什么 本征半导体掺杂成p型半导体中杂质的要求 P型半导体与N型半导体哪个导电强单一的将P型半导体、N型半导体分开,哪种半导体的导电能力强 在P型半导体中一般掺哪种类型的杂质?主要是什么元素? PN结中P型半导体和N型半导体共同的称呼是什么?是不是叫管脚? 有几道电工电子的判断题请帮忙答以下!1 P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性( )2 放大电路中的说有电容器.起的作用均为通交阻直 ( )3 基本放大电路通常都 半导体中怎样掺入微量的杂质 半导体中怎样掺入微量的杂质 如何判断施主杂质和n型半导体,受主杂质和p型半导体 N型半导体和P型半导体的问题电流是指电荷的定向移动.在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体.1,说锗晶体本身 P型杂质半导体中,多数载流子是 (空穴)(正离子)(负离子)? PN结问题,P型半导体的空穴问题P型半导体(P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名):掺入少量杂质硼元素(或铟元素)的硅晶体(或锗晶体)中,由于半导体原子(如硅原子)被杂质原子 半导体中的P型和N型杂质的区别是什么? p型半导体中的杂质原子为什么会成为不可移动的负离子?而不是正离子? 掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化