问个半导体多子少子的问题1.在杂质半导体中多子的数量与 ( a )（a.掺杂浓度、b.温度）有关.2.在杂质半导体中少子的数量与 ( b )（a.掺杂浓度、b.温度）有关.

问个半导体多子少子的问题1.在杂质半导体中多子的数量与 ( a )（a.掺杂浓度、b.温度）有关.2.在杂质半导体中少子的数量与 ( b )（a.掺杂浓度、b.温度）有关. 在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗? 在杂质半导体中多子与少子浓度不同为什么半导体呈中性? 本征半导体掺入微量的五价元素,则形成什么型半导体,其多子为什么,少子为什么? pn结中的多子还有少子分别指的是什么?多子---在N型半导体中,将自由电子称为多数载流子,简称多子；少子---在N型半导体中,空穴称为少数载梳子,简称少子.那么在PN结中呢? 温度如何影响杂志半导体的载流子浓度包括多子何少子,谁的变化显著 半导体物理中“多子”和“少子”的定义?要求用最简单的话回答,字数越少越好. N型半导体和P型半导体中的多子和少子分别是什么?分别依靠哪种载流子导电? 杂质半导体? 简单叙述杂质半导体多子浓度受温度影响 ．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大．温度 B．晶体缺陷 C．掺杂工艺 D．掺杂浓度 简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?这是我电路要考的一题,请大家帮帮忙! 谢谢了!概念是这一条吗？ (在半导体材料硅或锗晶体 本征半导体和杂质半导体的区别 半导体中怎样掺入微量的杂质 半导体中怎样掺入微量的杂质 N型半导体和P型半导体的问题电流是指电荷的定向移动.在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体.1,说锗晶体本身 为什么“在纯净的半导体中掺入微量的杂质,会使半导体的导电性能大大增强”? 为什么在纯净的半导体中渗入微量的杂质,会使半导体的导电性能大大加强?