半导体中,为什么能带中的能级上可以容纳两个自旋相反的电子,而杂质能级上只能允许一个任意自旋方向电子

半导体中,为什么能带中的能级上可以容纳两个自旋相反的电子,而杂质能级上只能允许一个任意自旋方向电子 为什么硅原子中原子能级就3个,其中各能级又包括很多简并能级,形成能带,最外层能带为价带,导带的那个能级在哪?是在原子3个能级外面的一个新的第四个能级,还是在原子最外层的一个能带 为什么n型半导体中重掺杂会使费米能级进入导带 为什么半导体中可以同时存在两个掺杂费米能级Efn和Efp1）是否只有heavy doping才会让费米能级移动到导带以上或者价带以下?2）同一块半导体中可以同时存在P掺杂和N掺杂吗?自由电子和自由空 电子层轨道上的能级是什么?怎样得出一个能级上最多容纳的电子数? 浅能级杂质在半导体中的作用是什么? 半导体的费米能级 半导体中自由电子与空穴的能级是否一致?不一致的话,他们能否复合?金属中的电子的能级是连续的,那么是不是金属中的电子都能与半导体中的空穴复合?我的说法可能有问题。也许应该叫做 半导体禁带中的束缚能级是怎么形成的?试举例说明. 半导体杂质能级为什么最多只能束缚一个电子如题 半导体的磷杂质能级为什么位于带隙中导带底下方不远 P型-杂质半导体在P型半导体中,空穴上是不是真正的存在正电荷?这个正电荷是怎么出现的?导体中同样会失去电子，正电荷和负电荷同样不相等，为什么在导体中的载流子只是电子？ 半导体物理 受主能级被空穴占据的几率式中1/2是如何推来的呢?用Na*(1-受主能级被电子占据的几率)可以计算吗?而被电子占据的几率对应的简并因子g是多少（看清了是g哦!施主能级对应兼并因 能级组中原子轨道所能容纳的电子的总数和电子层最多容纳的电子数有何不同 能级和它可容纳最多电子数的问题为什么排序的各能级可容纳电子数为1 3 5 7...的二倍,其中1 3 5 7 怎么来的 关于半导体物理中的能级问题.我在某书看到半导体掺杂能级图如下.如果Ec是本征材料(比如Si)的导带能级、Ev是Si的价带能级那如果P掺杂材料为B(通常都掺杂B),B的本征能级应该比Ev低才对?为什 费米能级在半导体导电性能描述中的作用,它的变化情况和温度,掺杂等的关系又如何?半导体方面的思考题, 请问一下半导体器件温度升高为什么会失效啊?根据能带理论半导体获得导电性是因为价带顶端的电子受热得到能量,跃迁到导带底,成为自由电子,从而电子、空穴可以导电.那为什么温度升高,