一个ZnS掺杂材料带隙能1.4ev,问在什么条件下能发生跃迁
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/08/29 11:41:42
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吸收能量高于或等于1.4ev的情况下,比如加电压1.4伏,或吸收大于1.4ev的光能等等.
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关于半导体物理中的能级问题.我在某书看到半导体掺杂能级图如下.如果Ec是本征材料(比如Si)的导带能级、Ev是Si的价带能级那如果P掺杂材料为B(通常都掺杂B),B的本征能级应该比Ev低才对?为什
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ev sponge是什么材料
半导体硅掺杂磷10^15和金4*10^14硅样品中掺杂了磷10^15,金4*10^4,已知Gold 的Ea=Ec-0.54ev,Ed=Ev+0.29ev.从题目里可以知道 半导体一定是n型的,那我们在计算n=Nd-Na 的时候应该怎么计算呢?金到底是作为施
一个14ev的光子使在基态情况下的电子脱离氢原子,该电子的动能是 27.6ev 还是0.4ev
ZnS在化学中表示什么物质?
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求问MOS管中电子在N沟道中的迁移率在网上可以查到在低掺杂硅材料中,电子的迁移率为0.135m^2/(Vs).MOS管绝缘层的厚度大概在20nm,那么单位面积的电容大概有10^7这个数量级.拿这个数据乘以电子
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在25℃时,把ZnS加入蒸馏水中,一定时间后达到如下平衡:ZnS(s) Zn2+(aq)+S2-(aq),下列在25℃时,把ZnS加入蒸馏水中,一定时间后达到如下平衡:ZnS(s)Zn2+(aq)+S2-(aq),下列措施可使ZnS减少的是 A.加入少量C
请问在国内AL掺杂改性的锰酸锂是哪家企业?