一个ZnS掺杂材料带隙能1.4ev,问在什么条件下能发生跃迁

一个ZnS掺杂材料带隙能1.4ev,问在什么条件下能发生跃迁 关于半导体物理中的能级问题.我在某书看到半导体掺杂能级图如下.如果Ec是本征材料(比如Si)的导带能级、Ev是Si的价带能级那如果P掺杂材料为B(通常都掺杂B),B的本征能级应该比Ev低才对?为什 ev材料是什么意思 ev sponge是什么材料 半导体硅掺杂磷10^15和金4*10^14硅样品中掺杂了磷10^15,金4*10^4,已知Gold 的Ea=Ec-0.54ev,Ed=Ev+0.29ev.从题目里可以知道 半导体一定是n型的,那我们在计算n=Nd-Na 的时候应该怎么计算呢?金到底是作为施 一个14ev的光子使在基态情况下的电子脱离氢原子,该电子的动能是 27.6ev 还是0.4ev ZnS在化学中表示什么物质? 在封闭式电气设备中,那一种红外窗口材料比较常用啊?有ZnS、ZnSe、CaF2、Si、Ge、MgF2等.常用的那一种的相对其他材料的优势在哪儿?还有没写到的材料也行~ 求问MOS管中电子在N沟道中的迁移率在网上可以查到在低掺杂硅材料中,电子的迁移率为0.135m^2/(Vs).MOS管绝缘层的厚度大概在20nm,那么单位面积的电容大概有10^7这个数量级.拿这个数据乘以电子 在研究微观粒子时常用电子伏特（ev）做能量的单位.1ev等于一个电子经过1v电压加速后所增加的动能,那么，1ev等于多少焦耳？ 掺杂半导体材料中的费米能级与掺杂后在能隙中多出的能级是同一个吗?（只考虑n掺杂或p掺杂） 在每10^5个硅原子掺入一个磷原子,那磷的掺杂浓度是多少?顺便求其电阻率 掺杂半导体费米能级的计算如果已知半导体材料,比如AlGaAs,以及其材料的掺杂浓度,如何确定该掺杂半导体的费米能级 求半导体物理中的杂质电离问题n型硅半导体材料,已知施主掺杂浓度为Nd,杂质能级Ed位于导带底下-0.045ev处,在温度T=300K时导带底电子有效状态密度Nc已知,计算能使杂质全部电离的最低温度是多 ZnS 是什么? ZnS是什么 在25℃时,把ZnS加入蒸馏水中,一定时间后达到如下平衡:ZnS(s) Zn2+(aq)+S2-(aq),下列在25℃时,把ZnS加入蒸馏水中,一定时间后达到如下平衡:ZnS(s)Zn2+(aq)+S2-(aq),下列措施可使ZnS减少的是 A.加入少量C 请问在国内AL掺杂改性的锰酸锂是哪家企业?