电力半导体件IGBT有哪些特点

来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/12/25 00:55:00
电力半导体件IGBT有哪些特点电力半导体件IGBT有哪些特点电力半导体件IGBT有哪些特点IGBT的主要优点有：①IGBT在正常工作时,导通电阻较低,增大了器件的电流容量.②IGBT的输出电流和跨导都

电力半导体件IGBT有哪些特点
电力半导体件IGBT有哪些特点

电力半导体件IGBT有哪些特点
IGBT的主要优点有：
① IGBT在正常工作时,导通电阻较低,增大了器件的电流容量.
② IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET.
③ 较宽的低掺杂漂移区（n-区）能够承受很高的电压,因而可以实现高耐压的器件.
④ IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流.
⑤ 与MOSFET一样,IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容,则驱动功率低,开关速度高.
⑥若把IGBT的p+漏极区分割为几个不同导电型号的区域（即再加进几个n+层）,这就可以降低漏极p-n结对电子的阻挡作用,则还可进一步减小器件的导通电阻.
IGBT也具有若干重大的的缺点：
① 因为IGBT工作时,其漏极区（p+区）将要向漂移区（n-区）注入少数载流子——空穴,则在漂移区中存储有少数载流子电荷；当IGBT关断（栅极电压降为0）时,这些存储的电荷不能立即去掉,从而IGBT的漏极电流也就相应地不能马上关断,即漏极电流波形有一个较长时间的拖尾——关断时间较长（10～50ms）.所以IGBT的工作频率较低.为了缩短关断时间,可以采用电子辐照等方法来降低少数载流子寿命,但是这将会引起正向压降的增大等弊病.
② IGBT中存在有寄生晶闸管——MOS栅控的n+-p-n--p+晶闸管结构,这就使得器件的最大工作电流要受到此寄生晶闸管闭锁效应的限制（采用阴极短路技术可以适当地减弱这种不良影响）.
详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.

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