为什么晶体管(n沟道增强型mos)的vg超过vth,源极与漏极之间的基板就会形成薄导电层
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2024/12/19 14:40:15
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为什么晶体管(n沟道增强型mos)的vg超过vth,源极与漏极之间的基板就会形成薄导电层
为什么晶体管(n沟道增强型mos)的vg超过vth,源极与漏极之间的基板就会形成薄导电层
为什么晶体管(n沟道增强型mos)的vg超过vth,源极与漏极之间的基板就会形成薄导电层
这部分其实在模电书里面写得很清楚了,只是你要反复看书,这部分内容是需要悟出来的.
当UGS从0开始,逐步增大（UGS〉0）的时候,G极会积聚正电荷,而S与衬底B其实是连在一起的,也就是负极,这时候,衬底里面的空穴（带正电）会被G排斥,逐步远离G极,这样在衬底（P区）里面就形成了以不能移动的负离子为主的耗尽层.当UGS增大后,耗尽层会逐步加宽,同时,由于电场力的吸引,衬底P区中的自由电子开始向G极移动,由于G极与衬底之间有SiO2的绝缘层,因此自由电子并不能达到G极,而是积聚在耗尽层与绝缘层之间,形成一个N型的薄层,也就是反型层（反型层与G极合起来看,类似一个平行板电容）.
为什么晶体管(n沟道增强型mos)的vg超过vth,源极与漏极之间的基板就会形成薄导电层
4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)如题
N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么?
N沟道增强型MOS管与P沟道增强型MOS管主要区别是什么?
P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别?
关于在绝缘栅型场效应管中N 沟道增强型 MOS N 沟道增强型 MOS 场效应管中UDS > UGS – UT,UGD < UT时由于夹断区的沟道电阻很大,UDS 逐渐增大时,为什么导电沟道两端电压基本不变,ID 因而基本不变?
MOS管怎么区分N沟道和P沟道 增强型和耗尽型一样吗?
为什么N沟道mos管要高电来才通
模拟电子技术中为什么“N沟道增强型MOS管中：uGD＞UGS（th）即uDS＞uGS-UGS（th）”?我感觉写反了吧?华成英的《模拟电子技术基础》辅导书《帮你学模拟》第23页N沟道增强型MOS管工作在恒流区
功率场效应管P沟道MOS管和N沟道MOS管的区别?
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
试画出N沟道、P沟道增强型和耗尽型MOSFET的代表符号
N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极...N沟道增强型MOS管构成的分压式偏置共源放大电路中栅极电流为0,那栅极并联的电阻如何会增大输入电阻?
比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极...比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还
如何区分N沟道MOS管的各级?
请问,N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗?它们的剖面图和工艺版图是怎样的.
n沟道增强型mos管栅极加负电压N沟道增强型mos管 栅极加正电压时,正经排斥P型衬底中多子空穴,形成耗尽层,正电压同时吸引少子电子到二氧化硅表面,形成导电沟道.我想问,如果加反向电压,那
该如何理解“ mos管是多子参与导电,少子不参与导电的晶体管 我举个例子,比如nmos 它是p衬底 所以多子是空穴 电子是少子.可是沟道类型却是n型 即电子形成的沟道 可对p型衬底 电子是少子啊?