光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义

来源：学生作业帮助网编辑：六六作业网时间：2024/11/17 08:20:31

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光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义
光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义

光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义
光刻工艺主要步骤
1.基片前处理
为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴,形成平滑且结合得很好的膜,必须进行表面准备,保持表面干燥且干净,
2.涂光刻胶
涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的,并且没有缺陷的光刻胶膜.
3.前烘(软烘焙)
前烘的目的是去除胶层内的溶剂,提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力.
4.对准和曝光(A＆E)
保证器件和电路正常工作的决定性因素是图形的准确对准,以及光刻胶上精确的图形尺寸的形成.所以,涂好光刻胶后,第一步是把所需图形在晶圆表面上准确定位或对准.第二步是通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上.
5.显影
显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上.
6.后烘(坚膜)
经显影以后的胶膜发生了软化、膨胀,胶膜与硅片表面粘附力下降.为了保证下一道刻蚀工序能顺利进行,使光刻胶和晶圆表面更好地粘结,必须继续蒸发溶剂以固化光刻胶.
7.刻蚀
刻蚀是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺,主要目标是将光刻掩膜版上的图案精确地转移到晶圆表面.
8.去除光刻胶
刻蚀之后,图案成为晶圆最表层永久的一部分.作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了,必须从表面去掉.

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