单晶硅电池基本结构多为n+/p型,其中n+/p是什么含义?
来源:学生作业帮助网 编辑:六六作业网 时间:2024/12/27 11:40:59
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在半导体材料硅中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体.( 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接触电位差.当P型接正极,N型接负极,N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动,且阻挡层变薄接触电位差变小,即电阻变小,可形成较大电流;反之当P型接负极,N型接正极,因为P半导体缺壳粒,热运动也难分离出壳粒往正极运动,且阻挡层变厚接触电位差变大,电阻变大,形成较小电流,即具有单向通过电流属性.)
多子与少子是相对概念.
如:在N型半导体中自由电子是多数载流子,简称为“多子”;空穴为小数载流子,称为“少子”.而在P型中则相反.
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P型和N型单晶硅片的区别?可以说具体点吗,现在有些太阳能公司开始采用N型单晶硅片生产电池片,据说效率高,原理是什么?
1 对单晶硅Si来说,在B,Al,P,As等元素中,哪些属于N 型杂质,哪些属于P型杂质?
高压硅堆的结构是:p-n-p-n-p-n还是:p-p-p-n-n-n
离散型随机变量x的分布概率为p(x=n)=a/n(n+1)(n=1,2,3,4),其中a是常数,
N型单晶硅制备过程中的电阻控制,尤其是高阻的电阻控制,
设P^n=1^n + 2^n + 3^n + 4^n 其中n是自然数 且1小于等于n小于等于100,则使P^n能被5整除的所有n的和为________
单晶硅的p型,n型是怎么回事?是和电阻率有关吗?还有那些型号p型的电阻率0.5-3,是否使用字母代表不同的电阻率,怎么分呢?
二氧化硅晶体的基本结构单元为四面体结构.其中基本结构单元是什么意思?
已知数列{cn},其中cn=2^n+2^n,且数列{c(n+1)-p*cn}【n+1为a的下标】为等比数列,求常数p不好意思,我打错了已知数列{cn},其中cn=2^n+3^n,且数列{c(n+1)-p*cn}【n+1为a的下标】为等比数列,求常数p
P为m*n矩阵,r(P)=1怎么推出P=AB,其中A为m维列向量,B为n维行向量
100分N*P^N 的极限,其中N正无穷大,P小于1 大于0
已知数列的{an}的a1=1 且a(n+1)=[(p+1)/q]an (n属于N) ,数列{bn}的前n项和Sn=p-p(bn),其中p,q 为实常数,且0
已知数列{cn},其中cn=2n+3n,且数列{cn+1-pcn}为等比数列,求p:已知数列{cn},其中cn=2n+3n,且数列{cn+1-pcn}为等比数列,求p:
已知数列{an/P^(n-1)}的前n项和Sn=n²+2n(其中常数p>0)求数列{an}的通项公式设Tn为数列{an}的前n项和(1)求Tn的表达式 (2)若对任意n∈N+,都有(1-p)Tn+pan≥2p^n,求p
已知数列{cn},其中cn=2^n+3^n,且数列{cn+1-pcn}为等比数列,求常数p
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P的平方+M的平方=N的平方,其中P味质数,M,N为自然数.求证:2(P+M+1)是完全平方数