pn结内产生电场 电场方向从n指向p 书上说在这个pn结产生的电厂内会阻止多子运动 我的理解恰好相反p这面都是空穴（负电）n那边都是带正电的电子 电场方向又是从n到p 在n端的正电子当然会
来源：学生作业帮助网 编辑：六六作业网 时间：2025/02/07 12:56:12
pn结内产生电场 电场方向从n指向p 书上说在这个pn结产生的电厂内会阻止多子运动 我的理解恰好相反p这面都是空穴（负电）n那边都是带正电的电子 电场方向又是从n到p 在n端的正电子当然会
pn结内产生电场 电场方向从n指向p 书上说在这个pn结产生的电厂内会阻止多子运动 我的理解恰好相反
p这面都是空穴（负电）n那边都是带正电的电子 电场方向又是从n到p 在n端的正电子当然会顺着电场线方向运动啦 这不是与书上说的相反了吗
pn结内产生电场 电场方向从n指向p 书上说在这个pn结产生的电厂内会阻止多子运动 我的理解恰好相反p这面都是空穴（负电）n那边都是带正电的电子 电场方向又是从n到p 在n端的正电子当然会
逆理解错了,空穴可以看做带正电,而电子是带负电的.你正好理解反了.
空穴是电子移动后留下的空位,电子肯定是带负电 的,负电的走了,就相当于带正电了.
所以 内电场方向是从n到p 在n端的负电子会逆着电场线方向运动 ,与书上说的相同
你的理解有偏颇。 PN结中内电场阻止多子扩散的详细机理是什么？ 将p型半导体与n型半导体制作在同一硅片上，在他们的交界面就形成pn结，pn结
p是positive的缩写，而n是negetive的缩写，显然正电荷才叫positive charge，负电荷叫negetive charge，所以p的空穴本身是带正电的，n是带负电的，里面没有带正电的电子。P 型半导体中有许多可移动的带正电荷的空穴和固定的带负电荷的电离杂质。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当两者相结合时，空穴向n处移动，负电子向p移动。这样才形成了一个空间电荷区...
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p是positive的缩写，而n是negetive的缩写，显然正电荷才叫positive charge，负电荷叫negetive charge，所以p的空穴本身是带正电的，n是带负电的，里面没有带正电的电子。P 型半导体中有许多可移动的带正电荷的空穴和固定的带负电荷的电离杂质。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当两者相结合时，空穴向n处移动，负电子向p移动。这样才形成了一个空间电荷区，n处为正电荷，p处为负电荷，电场方向是从n到p，这个时候已经达到了静电平衡，而不是你所说的初始状态。不懂可以继续追问。
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带正电的电子？？你确定没看错吗，那只是n区中杂质失去电子被p区抽走之后，后留下带正电的离子，形成的正电中心而已。这些正电中心会阻碍n区带负电的电子向p区扩散。
首先空穴是带正电的，P这面带的负电是由于得到自由电子的原子呈的电性，由于电场的逐步增大促进了少子漂移的运动（P面少子为自由电子，电子带负电运动方向与电场方向相反，所以推动少子向N面漂移）阻碍了多子的扩散（P面多子为空穴，空穴带正电与电场方向相同，所以阻碍多子向N面扩散）。我是这样理解的，我也刚刚开始学这门课。如果我的理解不正确还请大家不要喷我。。。...
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首先空穴是带正电的，P这面带的负电是由于得到自由电子的原子呈的电性，由于电场的逐步增大促进了少子漂移的运动（P面少子为自由电子，电子带负电运动方向与电场方向相反，所以推动少子向N面漂移）阻碍了多子的扩散（P面多子为空穴，空穴带正电与电场方向相同，所以阻碍多子向N面扩散）。我是这样理解的，我也刚刚开始学这门课。如果我的理解不正确还请大家不要喷我。。。
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