画出二阶系统的频率特征曲线,并说明其性质.

画出二阶系统的频率特征曲线,并说明其性质.
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画出二阶系统的频率特征曲线,并说明其性质.
逻辑Bank数量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求.而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备. 2、封装（Packages） DDR3由于新增了一些功能,所以在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格.并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质. 3、突发长度（BL,Burst Length） 由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期（BL,Burst Length）也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构的系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式.而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）. 3、寻址时序（Timing） 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2 有所提高.DDR2的CL范围一般在2至5之间,而DDR3则在5至11之间,且附加延迟（AL）的设计也有所变化.DDR2时AL的范围是0至4,而 DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2.另外,DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD）,这一参数将根据具体的工作频率而定. 4、新增功能——重置（Reset） 重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚. DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能,如今终于在DDR3身上实现.这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单.当Reset命令有效时,DDR3 内存将停止所有的操作,并切换至最少量活动的状态,以节约电力.在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所以有数据接收与发送器都将关闭.所有内部的程序装置将复位,DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静.这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的. 5、新增功能——ZQ校准 ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻.这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎（ODCE,On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值.当系统发出这一指令之后,将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准. 6、参考电压分成两个 对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF,在DDR3系统中将分为两个信号.一个是为命令与地址信号服务的VREFCA,另一个是为数据总线服务的VREFDQ,它将有效的提高系统数据总线的信噪等级. 7、根据温度自动自刷新（SRT,Self-Refresh Temperature） 为了保证所保存的数据不丢失,DRAM必须定时进行刷新,DDR3也不例外.不过,为了最大的节省电力,DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR,Automatic Self-Refresh）.当开始ASR之后,将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率,因为刷新频率高的话,消电就大,温度也随之升高.而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下,尽量减少刷新频率,降低工作温度.不过DDR3的ASR是可选设计,并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能,因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT,Self-Refresh Temperature）.通过模式寄存器,可以选择两个温度范围,一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃）,另一个是扩展温度范围,比如最高到 95℃.对于DRAM内部设定的这两种温度范围,DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作. 8、局部自刷新（RASR,Partial Array Self-Refresh） 这是DDR3的一个可选项,通过这一功能,DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank,而不是全部刷新,从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗.这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似. 9、点对点连接（P2P,Point-to-Point） 这是为了提高系统性能而进行了重要改动,也是与DDR2系统的一个关键区别.在DDR3系统中,一个内存控制器将只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能一个插槽.因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P,Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组）,或者是点对双点（P22P,Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组）,从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载.而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分,其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）.不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始,引脚设计还没有最终确定. 除了以上9点之外,DDR3还在功耗管理,多用途寄存器方面有新的设计,但由于仍入于讨论阶段,且并不是太重要的功能,在此就不详细介绍了.下面我们来总结一下DDR3与DDR2之间的对比： DDR2与DDR3规格对比,业界认为DDR3-800将被限定于高端应用市场,这有点像当今DDR2-400的待遇,预计DDR3在台式机上将以1066MHz的速度起步 从整体的规格上看,DDR3在设计思路上与DDR2的差别并不大,提高传输速率的方法仍然是提高预取位数.但是,就像DDR2和DDR的对比一样,在相同的时钟频率下,DDR2与DDR3的数据带宽是一样的,只不过DDR3的速度提升潜力更大.所以初期我们不用对DDR3抱以多大的期望,就像当初我们对待 DDR2一样.当然,在能耗控制方面,DDR3显然要出色得多,因此将可能率先受到移动设备的欢迎,就像最先欢迎DDR2内存的不是台式机,而是服务器一样.在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域,DDR3未来也将经历一个慢热的过程